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威尼斯娱人城官网制造方法
Manufacturing Methods of Semiconductor Wafers
单晶
将多晶硅原料升温至1420℃以上至熔融态后，重结晶制备得到单晶锭
单晶 单晶
成型
将单晶锭经过线切割、倒角、磨片、化腐工艺过程处理后制备得到目标几何参数的硅片
成型 成型
CVD
通过热处理、LTO背封及长多晶的方法，使硅片电阻率稳定以及提升吸杂能力，从而来提高硅片的质量
CVD CVD
抛光
将硅片通过抛光及洗净操作，得到电阻率、几何参数及颗粒数据等符合客户规范的抛光片成品
抛光 抛光
外延
通过在硅片表面连续性的生长一层具有特定电阻率及厚度的单晶硅，从而达到满足制备器件的要求
外延 外延
单晶
将多晶硅原料升温至1420℃以上至熔融态后，重结晶制备得到单晶锭
单晶 单晶
成型
将单晶锭经过线切割、倒角、磨片、化腐工艺过程处理后制备得到目标几何参数的硅片
成型 成型
CVD
通过热处理、LTO背封及长多晶的方法，使硅片电阻率稳定以及提升吸杂能力，从而来提高硅片的质量
CVD CVD
抛光
将硅片通过抛光及洗净操作，得到电阻率、几何参数及颗粒数据等符合客户规范的抛光片成品
抛光 抛光
外延
通过在硅片表面连续性的生长一层具有特定电阻率及厚度的单晶硅，从而达到满足制备器件的要求
外延 外延
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